[实用新型]IGBT模块有效

专利信息
申请号: 201220241869.1 申请日: 2012-05-28
公开(公告)号: CN202585404U 公开(公告)日: 2012-12-05
发明(设计)人: 李果;张巍巍 申请(专利权)人: 深圳市立德电控科技有限公司
主分类号: H01L25/07 分类号: H01L25/07;H01L23/373;H01L23/14
代理公司: 暂无信息 代理人: 暂无信息
地址: 518172 广东省深圳市龙岗区*** 国省代码: 广东;44
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摘要: 实用新型提供了一种IGBT模块,包括N片直接覆铜陶瓷基板(DBC)、N个IGBT单元、散热底板、外壳、盖板及水冷散热器,每一IGBT单元包括M颗IGBT芯片及X颗二极管芯片,且M颗IGBT芯片与每一二极管芯片均通过芯片连接导线进行反并联连接,N片DBC中的每两个通过DBC连接导线进行互连,每两个互连的DBC组成一IGBT半桥单元,每一IGBT半桥单元通过电极连接导线与对应的主电极电连接,且每一IGBT半桥单元中的一DBC对应与一控制电极电连接,所述N片DBC设置于散热底板上,所述外壳用于遮罩设置有N个IGBT单元的N片DBC,所述盖板用于盖住外壳。本实用新型可应用于电动大巴且可靠性较高。
搜索关键词: igbt 模块
【主权项】:
一种IGBT模块,包括N片直接覆铜陶瓷基板、N个对应焊接于N片直接覆铜陶瓷基板上的IGBT单元、一散热底板、一外壳、一盖板及一水冷散热器,N为偶数,每一IGBT单元处对应设置有一主电极及两控制电极,其中每一IGBT单元包括M颗IGBT芯片及X颗的二极管芯片,所述M颗IGBT芯片并联连接,且所述并联连接的四颗IGBT芯片与每一二极管芯片均通过芯片连接导线进行反并联连接,N片直接覆铜陶瓷基板中的每两个通过直接覆铜陶瓷基板连接导线进行互连,每两个互连的直接覆铜陶瓷基板组成一IGBT半桥单元,每一IGBT半桥单元通过电极连接导线与对应的主电极电连接,且每一IGBT半桥单元中的一直接覆铜陶瓷基板对应与一控制电极电连接,所述N片直接覆铜陶瓷基板设置于散热底板上,所述外壳用于遮罩设置有N个IGBT单元的N片直接覆铜陶瓷基板,所述盖板用于盖住外壳,所述散热底板安装于水冷散热器之上。
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