[实用新型]具有阻止功率MOSFET反向电流功能的电路有效
| 申请号： | 201220242419.4 | 申请日： | 2012-05-28 |
| 公开（公告）号： | CN202602282U | 公开（公告）日： | 2012-12-12 |
| 发明（设计）人： | 李林真 | 申请（专利权）人： | 成都芯源系统有限公司 |
| 主分类号： | H02H11/00 | 分类号： | H02H11/00 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 611731 四川省成都市高新西区*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | 公开了一种具有阻止功率MOSFET反向电流功能的电路。该电路包括N型功率MOSFET管，肖特基二极管，电流源。N型功率MOSFET管的源极和肖特基二极管的阴极相连；N型功率MOSFET管的衬底和肖特基二极管的阳极相连；电流源一端接收电流源供电输入，另一端与肖特基二极管的阳极相连。该电路可有效阻止MOSFET的反向电流，同时可获得较小的阈值电压。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 阻止 功率 mosfet 反向 电流 功能 电路 | ||
【主权项】：
一种电路，其特征在于，所述电路包括N型功率MOSFET管，肖特基二极管，电流源，其中，所述N型功率MOSFET管的源极和所述肖特基二极管的阴极相连；所述N型功率MOSFET管的衬底和所述肖特基二极管的阳极相连；所述电流源一端接收电流源供电输入，另一端与所述肖特基二极管的阳极相连。
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