[实用新型]多叠层隧道级联半导体激光器有效
| 申请号： | 201220243101.8 | 申请日： | 2012-05-28 |
| 公开（公告）号： | CN202586076U | 公开（公告）日： | 2012-12-05 |
| 发明（设计）人： | 陈宏泰;林琳;车相辉;王晶;位永平;张宇;宁吉丰 | 申请（专利权）人： | 中国电子科技集团公司第十三研究所 |
| 主分类号： | H01S5/34 | 分类号： | H01S5/34;H01S5/20 |
| 代理公司： | 石家庄国为知识产权事务所 13120 | 代理人： | 李荣文 |
| 地址： | 050051 河北省*** | 国省代码： | 河北;13 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本实用新型公开了一种多叠层隧道级联半导体激光器，属于半导体激光器领域。本实用新型包括2-4个垂直连接的单层激光器单元；相邻两单层激光器单元之间按照半导体晶体生长规则通过具有特殊结构的隧道结单元层生长连接；隧道结单元包括高掺杂的PN结和按规则生长在PN结上侧或/和下侧的超晶格层。本实用新型采用带有超晶格的特殊隧道结形成隧道级联半导体激光器，大大提高了半导体激光器的输出光功率，且优化后的隧道结使得半导体激光器中隧道结处的内阻及其压降变小；通过在半导体激光器内加入扩展波导，大大减小了光输出的远场发散角；本实用新型具有较高的经济效益，有利于高功率半导体激光器的小型化应用。 | ||
| 搜索关键词： | 多叠层 隧道 级联 半导体激光器 | ||
【主权项】：
一种多叠层隧道级联半导体激光器，包括2‑4个垂直连接的单层激光器单元（10）；其特征在于相邻两单层激光器单元（10）之间按照半导体晶体生长规则通过具有特殊结构的隧道结单元（15）生长连接；所述隧道结单元（15）包括高掺杂的PN结和按规则生长在PN结上侧或/和下侧的超晶格层。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中国电子科技集团公司第十三研究所，未经中国电子科技集团公司第十三研究所许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201220243101.8/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：电气化铁路智能开关设备
- 下一篇：一种抽屉式双SIM卡座结构
