[实用新型]用于直流弧放电高密度等离子体发生装置的放电腔室有效
| 申请号： | 201220266455.4 | 申请日： | 2012-06-07 |
| 公开（公告）号： | CN202697017U | 公开（公告）日： | 2013-01-23 |
| 发明（设计）人： | 芶富均 | 申请（专利权）人： | 芶富均 |
| 主分类号： | H05H1/26 | 分类号： | H05H1/26;H05H1/28 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 550000 贵州省贵*** | 国省代码： | 贵州;52 |
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| 摘要： | 本实用新型涉及一种用于直流弧放电高密度等离子体发生装置的放电腔室，包括放电腔室，其特征在于：所述放电腔室由放电室和绝缘套设置于固定架上构成。由于放电腔室不是整体加工，而是由固定架和放电室组成，两者分别制造，放电室选用耐高温绝缘材料，固定架选用普通金属材料，这样就降低了制造成本；将放电室镶嵌于固定架之内，在使用过程中便于更换，而且无需更换固定架，这样能有效降低整个等离子体源在后期的使用成本。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 直流 放电 高密度 等离子体 发生 装置 | ||
【主权项】：
一种用于直流弧放电高密度等离子体发生装置的放电腔室，包括放电腔室，其特征在于：所述放电腔室由放电室和绝缘套设置于固定架上构成。
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