[实用新型]一种新型魔T功率分配/合成器有效
| 申请号： | 201220268592.1 | 申请日： | 2012-06-08 |
| 公开（公告）号： | CN202797235U | 公开（公告）日： | 2013-03-13 |
| 发明（设计）人： | 王斌 | 申请（专利权）人： | 中国电子科技集团公司第五十四研究所 |
| 主分类号： | H01P5/20 | 分类号： | H01P5/20 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 050081 河北省石家庄*** | 国省代码： | 河北;13 |
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| 摘要： | 本实用新型公开了一种新型魔T功率分配/合成器，包括魔T功率分配/合成器的本体，在本体内设置有用于微波传输的公共通道和用于微波传输的两个支路，所述的公共通道与两个支路进行连通并为T型，在公共通道与两个支路交汇处的正上方的本体内设置有波导吸收通道，两个支路的腔体分别为由内至外为多阶梯段过渡的阶梯阻抗变换器结构，在公共通道与两个支路交汇处且与公共通道正对位置的本体上设置有用于调节匹配的调谐螺钉。本实用新型采用圆锥形匹配螺钉、阶梯阻抗变换器、非标准波导吸收端口，该功率分配/合成器幅度相位一致性好、隔离度高、工作带宽宽，适合应用于毫米波的功率合成放大器。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 新型 功率 分配 合成器 | ||
【主权项】：
一种新型魔T功率分配/合成器，包括魔T功率分配/合成器的本体，在本体内设置有用于微波传输的公共通道和用于微波传输的两个支路，所述的公共通道与两个支路进行连通并为T型，在公共通道与两个支路交汇处的正上方的本体内设置有波导吸收通道，其特征在于：两个支路的腔体分别为由内至外为多阶梯段过渡的阶梯阻抗变换器结构，在公共通道与两个支路交汇处且与公共通道正对位置的本体上设置有用于调节匹配的调谐螺钉。
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