[实用新型]一种阵列基板及显示装置有效

专利信息
申请号: 201220275089.9 申请日: 2012-06-11
公开(公告)号: CN202631914U 公开(公告)日: 2012-12-26
发明(设计)人: 杨玉清;朴承翊;李炳天 申请(专利权)人: 京东方科技集团股份有限公司;成都京东方光电科技有限公司
主分类号: G02F1/1362 分类号: G02F1/1362;G02F1/1368;H01L27/02
代理公司: 北京路浩知识产权代理有限公司 11002 代理人: 王莹
地址: 100015 *** 国省代码: 北京;11
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摘要: 实用新型公开了一种阵列基板及显示装置,涉及低温多晶硅高级超维场转换显示技术领域。该阵列基板包括:栅电极层、多晶硅层、源漏电极层、公共电极层、像素电极层、及存储电容,其特征在于,所述存储电容的第一电极设置于所述公共电极层,第二电极设置于所述栅电极层。本实用新型的阵列基板及显示装置公共电极层与多晶硅层同层,且储存电容的一个电极直接用与公共电极同层且同材料的金属电极,在达到相同的存储电容下可以减小存储电容的面积,从而提高开口率,显示品质得以提高。
搜索关键词: 一种 阵列 显示装置
【主权项】:
一种阵列基板,包括:栅电极层、多晶硅层、源漏电极层、公共电极层、像素电极层、及存储电容,其特征在于,所述存储电容的第一电极设置于所述公共电极层,第二电极设置于所述栅电极层。
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