[实用新型]一种具有物理自毁功能的固态存储设备有效

专利信息
申请号: 201220282536.3 申请日: 2012-06-15
公开(公告)号: CN202736030U 公开(公告)日: 2013-02-13
发明(设计)人: 蒲强;李兵;张丕芬;何凯 申请(专利权)人: 北京石竹科技股份有限公司
主分类号: G06F12/14 分类号: G06F12/14
代理公司: 暂无信息 代理人: 暂无信息
地址: 100037 北京市西*** 国省代码: 北京;11
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摘要: 实用新型公开了一种具有物理自毁功能的固态存储设备,包括物理自毁电源、系统电源、地隔离模块、电流及电压监测模块、过载控制模块、自毁控制模块、NANDFlash芯片组、主控模块。采用烧毁电源的方式,和传统的烧毁IO脚的方式相比,避免了MOSFET开关管的较大漏电流对NANDFlash芯片的IO信号及控制信号的信号完整性造成影响,解决了NANDFlash芯片因此而出现坏块的问题;并综合考虑了烧毁电流的控制,通过切换自毁通道或者切断物理自毁电源的方式,解决了电源过载问题,无需大功率的物理自毁电源;采用独立通道自毁方式,逐个烧毁NANDFlash芯片,确保每个NANDFlash芯片都能烧毁。
搜索关键词: 一种 具有 物理 自毁 功能 固态 存储 设备
【主权项】:
一种具有物理自毁功能的固态存储设备,包括物理自毁电源、系统电源、地隔离模块、电流及电压监测模块、过载控制模块、自毁控制模块、NANDFlash芯片组、主控模块,其特征在于:所述物理自毁电源,为所述固态存储设备自毁提供电源;所述系统电源,为所述固态存储设备正常工作提供电源;所述地隔离模块,将物理自毁电源地和系统电源地隔离;所述物理自毁电源、电流及电压监测模块、过载控制模块、自毁控制模块、NANDFlash芯片组顺序电连接;所述主控模块,连接所述电流及电压监测模块、过载控制模块、自毁控制模块,负责自毁过程的整体控制;所述自毁控制模块,包含多个通道控制模块;所述NANDFlash芯片组,包含多个NANDFlash芯片;每个通道控制模块连接一个NANDFlash芯片,称为一个自毁通道;所述主控模块接收到来自外部的自毁启动信号,控制所述自毁控制模块将所述物理自毁电源的正极连接一个NANDFlash芯片的电源管脚,负极连接该NANDFlash芯片的接地管脚;所述物理自毁电源输出的高压击穿该NANDFlash芯片的晶圆,实现自毁;所述电流及电压监测模块,实时监控自毁过程中是否出现了过载情况,包括欠压检测和过流检测,并反馈给所述主控模块;过载情况出现,当前NANDFlash芯片自毁结束;所述主控模块接收到来自所述电流及电压监测模块的过载信号,控制所述自毁控制模块,通过所述通道控制模块,切换自毁通道,继续烧毁下一个NANDFlash芯片,直到所有NANDElash芯片自毁结束;过载情况严重时,所述主控模块直接控制所述过载控制模块切断所述物 理自毁电源。
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