[实用新型]线性薄膜磁阻传感器、线性薄膜磁阻传感器电路及闭环电流传感器与开环电流传感器有效
| 申请号： | 201220291630.5 | 申请日： | 2012-06-20 |
| 公开（公告）号： | CN203132562U | 公开（公告）日： | 2013-08-14 |
| 发明（设计）人： | 王建国 | 申请（专利权）人： | 宁波瑞纳森电子科技有限公司 |
| 主分类号： | G01D5/12 | 分类号： | G01D5/12 |
| 代理公司： | 无锡市大为专利商标事务所 32104 | 代理人： | 曹祖良 |
| 地址： | 315336 浙江省宁波杭州*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本实用新型涉及一种线性薄膜磁阻传感器、线性薄膜磁阻传感器电路及闭环电流传感器与开环电流传感器，其包括种子层；参考层，位于种子层上，具有第一磁矩；非磁性隔离层，位于所述参考层上，将参考层与磁性自由层隔离；磁性自由层，位于非磁性隔离层上，具有第二磁矩，所述第二磁矩具有垂直于膜面的各向异性，且第二磁矩的方向与第一磁矩的方向相互垂直。本实用新型由于磁性自由层的第二磁矩具有垂直于膜面的各向异性，磁性自由层在平行于膜面的方向表现出极低的磁滞，并且较低的饱和场，使得形成磁阻传感器具有较高的灵敏度；磁滞小，精度和线性度高，线性范围可调，工艺简单，响应频率高，成本低，抗干扰性强和温度特性好。 | ||
| 搜索关键词： | 线性 薄膜 磁阻 传感器 电路 闭环 电流传感器 开环 | ||
【主权项】：
一种线性薄膜磁阻传感器，其特征是，包括： 种子层； 参考层，位于所述种子层上，具有第一磁矩； 非磁性隔离层，位于所述参考层上，将参考层与磁性自由层隔离； 磁性自由层，位于非磁性隔离层上，具有第二磁矩，所述第二磁矩具有垂直于膜面的各向异性，且第二磁矩的方向与第一磁矩的方向相互垂直。
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