[实用新型]一种纳米级发光二极管有效
| 申请号： | 201220296028.0 | 申请日： | 2012-06-25 |
| 公开（公告）号： | CN202712251U | 公开（公告）日： | 2013-01-30 |
| 发明（设计）人： | 洪圣峯 | 申请（专利权）人： | 合肥彩虹蓝光科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/40 | 分类号： | H01L33/40 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 230012 *** | 国省代码： | 安徽;34 |
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| 摘要： | 本实用新型公开了一种纳米级发光二极管，包括基体，所述基体表面依次层设有第一纳米层及第二纳米层；所述第一纳米层由纳米级高导电金属线连接构成，所述高导电金属线环绕在第一纳米层的层面周围，且同时连接在基体中部的触点上，所述第二纳米层由若干个纳米半导体粒子组合构成，所述纳米半导体粒子均匀布置在基体中部触点周围的第二纳米层的层面上。本实用新型结构简单、制造方便，能够有效的帮助发光二极管的电流均匀扩散并且能够增加出光效率。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 纳米 发光二极管 | ||
【主权项】：
一种纳米级发光二极管，包括基体，其特征在于：所述基体表面依次层设有第一纳米层及第二纳米层；所述第一纳米层由纳米级高导电金属线连接构成，所述高导电金属线环绕在第一纳米层的层面周围，且同时连接在基体中部的触点上，所述第二纳米层由若干个纳米半导体粒子组合构成，所述纳米半导体粒子均匀布置在基体中部触点周围的第二纳米层的层面上。
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