[实用新型]栅边缘凹槽型源场板结构高电子迁移率晶体管

摘要

本实用新型公开了一种栅边缘凹槽型源场板结构高电子迁移率晶体管，属于半导体器件领域。所述高电子迁移率晶体管包括衬底层、缓冲层、势垒层、源极、栅极、漏极、钝化层和源场板；还包括栅漏区凹槽，所述栅漏区凹槽是在栅漏区沿栅极边缘、而在势垒层上刻蚀形成的沟槽；所述沟槽沿栅宽方向。本实用新型的栅边缘凹槽型源场板结构HEMT与传统源场板结构HEMT相比，减少了栅极靠近漏极一侧的边缘所收集的电场线，因此能降低栅极靠近漏极一侧的电场，从而可显著提高HEMT器件的击穿电压。

主权项

一种栅边缘凹槽型源场板结构高电子迁移率晶体管，包括衬底层（1）、缓冲层（2）、势垒层（3）、源极（4）、栅极（5）、漏极（6）、钝化层（7）和源场板（8）；其特征在于还包括栅漏区的凹槽（9），所述栅漏区凹槽（9）是在栅漏区沿栅极（5）边缘、而在势垒层（3）上刻蚀形成的沟槽，所述沟槽沿栅宽方向。