[实用新型]用于电子标签中天线的电压限幅模块有效
申请号: | 201220316374.0 | 申请日: | 2012-07-03 |
公开(公告)号: | CN202677442U | 公开(公告)日: | 2013-01-16 |
发明(设计)人: | 曾维亮 | 申请(专利权)人: | 成都市宏山科技有限公司 |
主分类号: | G06K19/077 | 分类号: | G06K19/077 |
代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
地址: | 610000 四川省*** | 国省代码: | 四川;51 |
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摘要: | 本实用新型公开了用于电子标签中天线的电压限幅模块,包括第一N沟道增强型场效应管、第二N沟道增强型场效应管、第三N沟道增强型场效应管、第四N沟道增强型场效应管、第一电容、第一天线信号输入端、第二天线信号输入端及多个串联的P沟道增强型场效应管,多个串联的P沟道增强型场效应管与第一电容并联构成串并联线路。第一天线信号输入端连接在第一N沟道增强型场效应管漏极和第三N沟道增强型场效应管源极之间的线路上,第二天线信号输入端连接在第二N沟道增强型场效应管漏极与第四N沟道增强型场效应管漏极之间的线路上。本实用新型通过调整第一N沟道增强型场效应管和第二N沟道增强型场效应管实现天线的电压限幅,不会对功率产生影响。 | ||
搜索关键词: | 用于 电子标签 天线 电压 限幅 模块 | ||
【主权项】:
用于电子标签中天线的电压限幅模块,其特征在于:包括第一N沟道增强型场效应管(N1)、第二N沟道增强型场效应管(N2)、第三N沟道增强型场效应管(N3)、第四N沟道增强型场效应管(N4)、第一电容(C1)及多个串联的P沟道增强型场效应管,第三N沟道增强型场效应管(N3)、第四N沟道增强型场效应管(N4)及多个P沟道增强型场效应管均为二极管连接的MOS管,所述第三N沟道增强型场效应管(N3)的漏极和源极分别与第四N沟道增强型场效应管(N4)漏极和第一N沟道增强型场效应管(N1)漏极连接,第二N沟道增强型场效应管(N2)的漏极与第四N沟道增强型场效应管(N4)源极连接,第一N沟道增强型场效应管(N1)源极和第二N沟道增强型场效应管(N2)源极均接地,所述多个串联的P沟道增强型场效应管的串联支路两端分别串联第三电阻(R3)和第四电阻(R4)后与第一电容(C1)并联构成串并联线路,该串并联线路一端与第三N沟道增强型场效应管(N3)漏极和第四N沟道增强型场效应管(N4)漏极之间的线路连接,其另一端接地,所述第一N沟道增强型场效应管(N1)和第二N沟道增强型场效应管(N2) 两者的栅极均与多个串联的P沟道增强型场效应管和第四电阻(R4)之间的线路连接;所述第一N沟道增强型场效应管(N1)漏极和第三N沟道增强型场效应管(N3)源极之间的线路上连接有第一天线信号输入端(Ant1),第二N沟道增强型场效应管(N2)漏极与第四N沟道增强型场效应管(N4)漏极之间的线路上连接有第二天线信号输入端(Ant2)。
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