[实用新型]电子标签中天线信号的电压限幅系统有效

专利信息
申请号: 201220316416.0 申请日: 2012-07-03
公开(公告)号: CN202663107U 公开(公告)日: 2013-01-09
发明(设计)人: 曾维亮 申请(专利权)人: 成都市宏山科技有限公司
主分类号: H02H9/04 分类号: H02H9/04;G06K19/077
代理公司: 暂无信息 代理人: 暂无信息
地址: 610000 四川省*** 国省代码: 四川;51
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摘要: 实用新型公开了电子标签中天线信号的电压限幅系统,包括第一N沟道增强型场效应管、第二N沟道增强型场效应管、第三N沟道增强型场效应管、第四N沟道增强型场效应管、第五电阻、第一电容、第二电容及多个串联的P沟道增强型场效应管,多个串联的P沟道增强型场效应管与第一电容并联构成串并联线路。第二电容和第五电阻的串联支路一端与第三N沟道增强型场效应管漏极和第四N沟道增强型场效应管漏极之间的线路连接,其另一端与多个串联的P沟道增强型场效应管和第四电阻之间的线路连接。采用上述结构,在对天线实现电压限幅时不会对功率产生影响,操作方便。
搜索关键词: 电子标签 天线 信号 电压 限幅 系统
【主权项】:
电子标签中天线信号的电压限幅系统,其特征在于:包括第一N沟道增强型场效应管(N1)、第二N沟道增强型场效应管(N2)、第三N沟道增强型场效应管(N3)、第四N沟道增强型场效应管(N4)、第五电阻(R5)、第一电容(C1)、第二电容(C2)及多个串联的P沟道增强型场效应管,第三N沟道增强型场效应管(N3)、第四N沟道增强型场效应管(N4)及多个P沟道增强型场效应管均为二极管连接的MOS管,所述第三N沟道增强型场效应管(N3)的漏极和源极分别与第四N沟道增强型场效应管(N4)漏极和第一N沟道增强型场效应管(N1)漏极连接,第二N沟道增强型场效应管(N2)的漏极与第四N沟道增强型场效应管(N4)源极连接,第一N沟道增强型场效应管(N1)源极和第二N沟道增强型场效应管(N2)源极均接地,所述多个串联的P沟道增强型场效应管的串联支路两端分别串联第三电阻(R3)和第四电阻(R4)后与第一电容(C1)并联构成串并联线路,该串并联线路一端与第三N沟道增强型场效应管(N3)漏极和第四N沟道增强型场效应管(N4)漏极之间的线路连接,其另一端接地,所述第一N沟道增强型场效应管(N1)和第二N沟道增强型场效应管(N2) 两者的栅极均与多个串联的P沟道增强型场效应管和第四电阻(R4)之间的线路连接;所述第二电容(C2)与第五电阻(R5)串联,第二电容(C2)和第五电阻(R5)的串联支路一端与第三N沟道增强型场效应管(N3)漏极和第四N沟道增强型场效应管(N4)漏极之间的线路连接,其另一端与多个串联的P沟道增强型场效应管和第四电阻(R4)之间的线路连接。
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