[实用新型]可控性好的单晶硅太阳能电池

摘要

本实用新型提供了一种可控性好的单晶硅太阳能电池，包括P型单晶硅层、N型硅层、Si02薄膜层、减反射膜层、正电极、背电场，所述的N型硅层设置在P型单晶硅层上，与P型单晶硅层构成PN结，所述的Si02，薄膜层设置在N型硅层上，SiO2薄膜层上表面设置减反射膜层，所述的PN结中间设有横向结，所述的正电极设置在横向结上，所迷的背电场设置在P型单晶硅层背面，背电场与P型单晶硅层之间设有P+型硅层。与现有技术相比，本实用新型具有结面比较平坦、均匀性和重复性好、成本低等优点。

主权项

一种可控性好的单晶硅太阳能电池，其特征在于，包括P型单晶硅层、N型硅层、SiO2薄膜层、减反射膜层、正电极、背电场，所述的N型硅层设置在P型单晶硅层上，与P型单晶硅层构成PN结，所述的SiO2薄膜层设置在N型硅层上，SiO2薄膜层上表面设置减反射膜层，所述的PN结中间设有横向结，所述的正电极设置在横向结上，所述的背电场设置在P型单晶硅层背面，背电场与P型单晶硅层之间设有P+型硅层，所述的P型单晶硅层为衬底层，所述的N型硅层为离子注入的发射极。