[实用新型]用于制备LED芯片的具有图形化结构的铌酸锂衬底有效
| 申请号： | 201220323771.0 | 申请日： | 2012-07-04 |
| 公开（公告）号： | CN202797054U | 公开（公告）日： | 2013-03-13 |
| 发明（设计）人： | 丁海生;李东昇;马新刚;江忠永;张昊翔;王洋;李超 | 申请（专利权）人： | 杭州士兰明芯科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/22 | 分类号： | H01L33/22;H01L33/10 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 郑玮 |
| 地址： | 310018 浙江省杭州市杭*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本实用型新提供一种用于制备LED芯片的具有图形化结构的铌酸锂衬底，所述铌酸锂衬底表面具有图形化结构，且所述图形化结构的表面具有纳米粗糙结构。本实用型新可降低外延材料中的缺陷密度和LED的生产成本，能更有效地提高LED的发光亮度。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 制备 led 芯片 具有 图形 结构 铌酸锂 衬底 | ||
【主权项】：
一种用于制备LED芯片的具有图形化结构的铌酸锂衬底，其特征在于，所述铌酸锂衬底表面具有图形化结构，且所述图形化结构的表面具有纳米粗糙结构。
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