[实用新型]一种纳米管薄膜光电极有效
| 申请号： | 201220324535.0 | 申请日： | 2012-07-05 |
| 公开（公告）号： | CN202683225U | 公开（公告）日： | 2013-01-23 |
| 发明（设计）人： | 陈秀琴 | 申请（专利权）人： | 浙江建设职业技术学院 |
| 主分类号： | B01J23/10 | 分类号： | B01J23/10;B01J35/02;B01J37/34;B82Y30/00;B82Y40/00 |
| 代理公司： | 杭州九洲专利事务所有限公司 33101 | 代理人： | 鲁秦 |
| 地址： | 311231*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本实用新型涉及一种纳米管薄膜光电极，包括钛片基底，钛片基底上设有原位生长的钕、氟掺杂二氧化钛纳米管薄膜层。实用新型有益的效果是：一、采用阳极氧化法制备非金属氟、稀土钕共掺杂二氧化钛纳米管薄膜，工艺简单，成本低，易于控制；二、纳米管的结构具有较高的活性比表面积，能够有效的提高光电转化效率；三、非金属氟、稀土钕共掺杂的样品具有很高的可见光活性；四、可用于太阳能利用、光电转化以及环境领域的有机污染物的降解。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 纳米 薄膜 电极 | ||
【主权项】：
一种纳米管薄膜光电极，其特征是：包括钛片基底（2），钛片基底（2）上设有原位生长的钕、氟掺杂二氧化钛纳米管薄膜层（1）。
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