[实用新型]防静电放电器件有效
| 申请号： | 201220333972.9 | 申请日： | 2012-07-10 |
| 公开（公告）号： | CN202695444U | 公开（公告）日： | 2013-01-23 |
| 发明（设计）人： | 朱曼 | 申请（专利权）人： | 上海华旭玻尔微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/02 | 分类号： | H01L27/02 |
| 代理公司： | 上海智信专利代理有限公司 31002 | 代理人： | 胡美强 |
| 地址： | 201108 *** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 暂无信息 | 说明书： | 暂无信息 |
| 摘要： | 本实用新型涉及一种防静电放电器件，包括：本体P-N结半导体放电管；在所述本体P-N结半导体放电管的两个P区中还分别光刻N+区；本实用新型的有益效果是：第一，简化了器件数量和安装体积，原来要达到防静电效果，需要二个器件，即放电管和二极管各一个，现在只需要一个防静电放电管即可达到目的；第二，由于采用了集成设计，降低了电子产品的功耗；第三，降低了电子产品的成本。 | ||
| 搜索关键词： | 静电 放电 器件 | ||
【主权项】：
一种防静电放电器件，包括：本体P‑N结半导体放电管；其特征在于：在所述本体P‑N结半导体放电管的两个P区中还分别光刻N+区。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
