[实用新型]片式电容器芯片真空溅镀组合模具有效
| 申请号： | 201220335629.8 | 申请日： | 2012-07-11 |
| 公开（公告）号： | CN202749234U | 公开（公告）日： | 2013-02-20 |
| 发明（设计）人： | 黎国强 | 申请（专利权）人： | 黎国强 |
| 主分类号： | H01G13/00 | 分类号： | H01G13/00 |
| 代理公司： | 深圳市德力知识产权代理事务所 44265 | 代理人： | 林才桂 |
| 地址： | 523000 广东*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本实用新型涉及一种片式电容器芯片真空溅镀组合模具，包括上模板、中模板及下模板，中模板上设有数个直通孔用于放置需溅镀的片式电容器芯片，上模板上对应中模板的数个直通孔分别设有数个第一溅镀通孔，第一溅镀通孔包括靠近中模板的第一定位段及远离中模板的第一溅镀段，第一溅镀段的孔径小于第一定位段的孔径，下模板上对应中模板的数个直通孔分别设有数个第二溅镀通孔，第二溅镀通孔包括靠近中模板的第二定位段及远离中模板的第二溅镀段，第二溅镀段的孔径小于第二定位段的孔径。该片式电容器芯片真空溅镀组合模具结构简单，组合多变，适用于对多规格片式电容器芯片进行真空溅镀金属电极，使用方便、制作精度高、制作效率高且成本低。 | ||
| 搜索关键词： | 电容器 芯片 真空 组合 模具 | ||
【主权项】：
一种片式电容器芯片真空溅镀组合模具，其特征在于，包括上模板、中模板及下模板，所述中模板上设有数个直通孔用于放置需溅镀的片式电容器芯片，所述上模板上对应中模板的数个直通孔分别设有数个第一溅镀通孔，所述第一溅镀通孔包括靠近中模板的第一定位段及远离中模板的第一溅镀段，所述第一溅镀段的孔径小于第一定位段的孔径，所述下模板上对应中模板的数个直通孔分别设有数个第二溅镀通孔，所述第二溅镀通孔包括靠近中模板的第二定位段及远离中模板的第二溅镀段，所述第二溅镀段的孔径小于第二定位段的孔径。
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