[实用新型]Low-E镀膜玻璃有效
申请号: | 201220337850.7 | 申请日: | 2012-07-12 |
公开(公告)号: | CN202744457U | 公开(公告)日: | 2013-02-20 |
发明(设计)人: | 屠有军;何火青 | 申请(专利权)人: | 浙江大明玻璃有限公司 |
主分类号: | C03C17/36 | 分类号: | C03C17/36;B32B17/06 |
代理公司: | 浙江杭州金通专利事务所有限公司 33100 | 代理人: | 汤时达 |
地址: | 314200 浙江省*** | 国省代码: | 浙江;33 |
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摘要: | 本实用新型提供一种透光率高、抗辐射效果好的Low-E镀膜玻璃,包括玻璃基板和镀敷在玻璃基板上的抗辐射复合膜层,所述抗辐射复合膜层由内而外依次包括第一电介质层、第一阻挡层、功能层、第二阻挡层和第二电介质层;电介质层为Si3N4,阻挡层为NiCr,功能层为Ag。所述抗辐射复合膜层还包括位于最外层的石墨层,石墨层厚度为5~15nm。本实用新型的有益效果在于:复合膜层结构设置合理,抗辐射效果好,且加工方便;第二阻挡层和第二电介质层有效保护作为功能层的Ag层,使用寿命长;隔热效果好,在冬天能有效防止室内热量散失,在夏天可有效隔阻外部辐射入侵;外层设置石墨层,有效防止划伤抗辐射复合膜层。 | ||
搜索关键词: | low 镀膜 玻璃 | ||
【主权项】:
Low‑E镀膜玻璃,包括玻璃基板和镀敷在玻璃基板上的抗辐射复合膜层,其特征在于:所述抗辐射复合膜层由内而外依次包括第一电介质层、第一阻挡层、功能层、第二阻挡层和第二电介质层;电介质层为 Si3N4,阻挡层为NiCr,功能层为Ag。
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