[实用新型]气相沉积装置有效
| 申请号： | 201220338482.8 | 申请日： | 2012-07-12 |
| 公开（公告）号： | CN202808936U | 公开（公告）日： | 2013-03-20 |
| 发明（设计）人： | 俆祥准;许明洙;金胜勋;金镇圹;宋昇勇 | 申请（专利权）人： | 三星显示有限公司 |
| 主分类号： | C23C16/44 | 分类号： | C23C16/44;C23C16/50;C23C16/455;C23C16/458 |
| 代理公司： | 北京铭硕知识产权代理有限公司 11286 | 代理人： | 韩明星 |
| 地址： | 韩国京畿*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 一种用于有效地执行沉积工艺以在基底上形成具有改善特性的薄膜的气相沉积装置。气相沉积装置包括：室，包括排放口；架台，设置在室内，并包括将基底设置在其上的安装表面；注入部分，包括至少一个注入开口，通过所述至少一个注入开口沿与基底的将形成有薄膜的表面平行的方向注入气体；等离子体发生器，设置成与基底分开并面向基底。 | ||
| 搜索关键词： | 沉积 装置 | ||
【主权项】：
一种用于在基底上形成薄膜的气相沉积装置，其特征在于所述气相沉积装置包括：室，具有排放口；架台，设置在室内，并包括被构造成将基底安装在其上的安装表面；注入部分，具有至少一个注入开口，通过所述至少一个注入开口沿与基底的将形成有薄膜的表面平行的方向注入气体；等离子体发生器，设置成与基底分开并面向基底。
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C23 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆，例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上，例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆，例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
C23C 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆，例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上，例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆，例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
