[实用新型]一种扇出型圆片级芯片封装结构

摘要

本实用新型涉及一种扇出型圆片级芯片封装结构，属于半导体芯片封装技术领域。它包括芯片（1）、金属微结构（2）、填充料（3）、高密度布线层（4）、硅腔体（5）、键合层（6）和焊球凸点（7），所述芯片（1）通过金属微结构（2）倒装在高密度布线层（4）的金属电极Ⅰ（421）上，所述硅腔体（5）包括硅本体（51）和包封料层（52），所述硅腔体（5）将芯片（1）扣置在硅腔（511）内，所述高密度布线层（4）与硅腔体（5）通过键合层（6）键合，所述包封料层（52）设置在芯片（1）和硅腔（511）之间。本实用新型封装成本低、扇出（Fanout）结构的支撑强度牢固、封装良率高、适用于薄型结构的扇出型圆片级封装。

主权项

一种扇出型圆片级芯片封装结构，包括芯片（1）、高密度布线层（4）和焊球凸点（7），所述芯片（1）包括芯片本体（11），所述芯片本体（11）的上表面设置数个芯片电极（111），所述高密度布线层（4）包括介电层（41）和设置在介电层（41）内部的再布线金属走线（42），所述再布线金属走线（42）的两端分别设置金属电极Ⅰ（421）和金属电极Ⅱ（422），其特征在于：所述封装结构还包括金属微结构（2）、硅腔体（5）和键合层（6），所述金属微结构（2）包括金属柱（21）和设置在金属柱（21）一端的金属微凸点（22），所述金属柱（21）另一端与芯片电极（111）连接，所述金属电极Ⅰ（421）的上端面与金属微凸点（22）连接，所述金属电极Ⅱ（422）的下端面与焊球凸点（7）连接，所述芯片（1）通过金属微结构（2）倒装在高密度布线层（4）上表面的金属电极Ⅰ（421）上；所述硅腔体（5）包括硅本体（51），所述硅本体（51）上设有硅腔（511），所述硅腔体（5）将芯片（1）扣置在硅腔（511）内，所述高密度布线层（4）与硅腔体（5）通过键合层（6）键合，所述芯片（1）和硅腔（511）之间设置包封料层（52）。