[实用新型]绝缘栅双极型晶体管有效
| 申请号： | 201220341150.5 | 申请日： | 2012-07-13 |
| 公开（公告）号： | CN202695447U | 公开（公告）日： | 2013-01-23 |
| 发明（设计）人： | 鸟居克行 | 申请（专利权）人： | 三垦电气株式会社 |
| 主分类号： | H01L29/739 | 分类号： | H01L29/739;H01L29/06;H01L23/528 |
| 代理公司： | 北京三友知识产权代理有限公司 11127 | 代理人： | 李辉;黄纶伟 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本实用新型提供了一种绝缘栅双极型晶体管，其中，层间绝缘膜形成为，在沟槽延伸的方向上直角的剖面视图中，由上段部构成的第1阶段和下段部构成的第2阶段所构成的凸形状，第1阶段的高度在层间绝缘膜的整体高度的1/3-2/3的范围内。通过本实用新型的凸形状的层间绝缘膜构造，可以更好地防止层间绝缘膜的剥落。 | ||
| 搜索关键词： | 绝缘 栅双极型 晶体管 | ||
【主权项】：
一种绝缘栅双极型晶体管，其具有：半导体衬底，其具有第1主面以及第2主面并且还具有在所述第1主面上并行延伸的多个沟槽；射极电极，其配置在所述第1主面上；集电极电极，其配置在所述第2主面上；绝缘膜，其配置在所述沟槽的壁面上；栅极电极，其配置在所述沟槽中；以及层间绝缘膜，其形成在所述沟槽上方，并处于所述射极电极和所述沟槽间，其特征在于，所述半导体衬底具有：第1导电型的集电极区域，其配置成在所述第2主面上露出；第2导电型的漂移区域，其配置在所述集电极区域的上方；第1导电性的基极区域，其配置在所述第2导电型的漂移区域的上方；以及第2导电型的射极区域，其邻接配置在与所述第1导电型的基极区域并且在所述第1主面上露出，所述沟槽具有比从所述第1主面起到所述第1导电型的基极区域的下部更深的深度，所述层间绝缘膜形成为由上段部构成的第1阶段和下段部构成的第2阶段所构成的凸形状，所述第1阶段的高度在所述层间绝缘膜的整体高度的1/3‑2/3的范围内。
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