[实用新型]一种板式ETP PECVD 结构有效
申请号: | 201220345588.0 | 申请日: | 2012-07-17 |
公开(公告)号: | CN202730227U | 公开(公告)日: | 2013-02-13 |
发明(设计)人: | 芶富均 | 申请(专利权)人: | 成都达信成科技有限公司 |
主分类号: | C23C16/44 | 分类号: | C23C16/44;C23C16/34;C23C16/24 |
代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
地址: | 610200 四川省成都市双流西南*** | 国省代码: | 四川;51 |
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摘要: | 本实用新型涉及一种平板式ETPPECVD沉积系统,用于光伏领域内氮化硅、氢化非晶/微晶硅薄膜的沉积。一种板式ETPPECVD系统,上料台、下料台、电路系统、气路系统、自动控制系统、冷却水循环系统、真空下石墨载板传输系统通过螺栓依次固定于台架上,其特征在于:第一和第二初级真空腔室分别与各自的真空抽气系统连接;预热腔室和氢钝化腔室、SiNx薄膜沉积腔室、冷却腔室通过管路与第一和第二初级真空腔室连接;ETPPECVD沉积腔室通过管路和真空抽气系统连接。本实用新型实现了生产线流水作业、快速沉积,解决了微波等离子体平板PECVD存在的产能低和成本较高等问题。 | ||
搜索关键词: | 一种 板式 etp pecvd 结构 | ||
【主权项】:
一种板式ETP PECVD结构,包括上料台、下料台、电路系统、气路系统、自动控制系统、冷却水循环系统、真空下石墨载板传输系统通过螺栓依次固定于台架上,其特征在于:第一和第二初级真空腔室分别与各自的真空抽气系统连接;预热腔室和氢钝化腔室、SiNx薄膜沉积腔室、冷却腔室通过管路与第一和第二初级真空腔室连接;ETP PECVD沉积腔室通过管路和真空抽气系统连接。
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C23 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面化学处理;金属材料的扩散处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆;金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
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