[实用新型]一种基于高K材料的LDMOS器件有效
| 申请号： | 201220352534.7 | 申请日： | 2012-07-20 |
| 公开（公告）号： | CN202772140U | 公开（公告）日： | 2013-03-06 |
| 发明（设计）人： | 曾大杰;余庭;赵一兵;张耀辉 | 申请（专利权）人： | 昆山华太电子技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/51 |
| 代理公司： | 南京纵横知识产权代理有限公司 32224 | 代理人： | 董建林 |
| 地址： | 215300 江苏省*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本实用新型公开了一种基于高K材料的LDMOS器件，其包括衬底，所述衬底上设置有源极和漏极，所述漏极连接有N型漂移区，所述源极和N型漂移区之间通过沟道连接在一起，所述沟道上设置有栅极，所述栅极和所述沟道之间设置有绝缘层，其特征在于：所述绝缘层包括一个由高K材料组成的高K层，所述绝缘层依次包括以下三层：SiO2层、高K层和SiO2层。本实用新型在不会增加栅的漏电流的前提下，采用具有更高介电常数的高K材料来降低绝缘层厚度。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 基于 材料 ldmos 器件 | ||
【主权项】：
一种基于高K材料的LDMOS器件，其包括衬底，所述衬底上设置有源极和漏极，所述漏极连接有漂移区所述源极和漂移区之间通过沟道连接在一起，所述沟道上设置有栅极，所述栅极和所述沟道之间设置有绝缘层，其特征在于：所述绝缘层包括一个由高K材料组成的高K层。
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