[实用新型]真空镀膜弧光辉光协同放电物理气相沉积装置有效
| 申请号： | 201220357592.9 | 申请日： | 2012-07-23 |
| 公开（公告）号： | CN202830159U | 公开（公告）日： | 2013-03-27 |
| 发明（设计）人： | 钱锋;林晶;李恒;孙智慧 | 申请（专利权）人： | 深圳市天星达真空镀膜设备有限公司;哈尔滨商业大学 |
| 主分类号： | C23C14/35 | 分类号： | C23C14/35 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 518116 广东省深圳市龙岗*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本实用新型提供了一种真空镀膜弧光辉光协同放电物理气相沉积装置，采用离子镀磁控溅射弧光辉光协同放电气相沉积混合薄膜，它包括磁铁、圆柱靶、靶面，磁铁设置在圆柱靶上，靶面设置在圆柱靶外围。采用一改常用的平面靶及垂直放置的方式，采用多弧圆柱靶水平放在工件篮下方，而圆柱磁控溅射靶水平放置在工件篮上方，多弧圆柱靶水平放在工件篮下方避免靶材上飞溅出来的大的颗粒沉积到工件上，两个不同的靶共放电沉积，一方面利用多弧靶的高离化率提高整个沉积过程的离化率，以增加膜层的结合力，同时在多弧离子镀大颗粒沉积的同时，也沉积磁控溅射的小颗粒沉积，这样提高膜层的致密性。 | ||
| 搜索关键词： | 真空镀膜 弧光 辉光 协同 放电 物理 沉积 装置 | ||
【主权项】：
一种真空镀膜弧光辉光协同放电物理气相沉积装置，其特征在于它包括磁铁、圆柱靶、靶面，磁铁设置在圆柱靶上，靶面设置在圆柱靶外围。
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