[实用新型]一种新型二极管器件有效
| 申请号： | 201220362905.X | 申请日： | 2012-07-24 |
| 公开（公告）号： | CN203179899U | 公开（公告）日： | 2013-09-04 |
| 发明（设计）人： | 王珏;蔡超峰;何敏 | 申请（专利权）人： | 杭州恩能科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/861 | 分类号： | H01L29/861 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 310027 浙江省杭州市文三*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本实用新型公开了一种新型二极管器件；本实用新型的二极管器件结构由沟道和漂移区构成；沟道，由邻近的相应类型的掺杂区构成，同时形成所需的势垒高度，通过欧姆接触形成二极管一端；漂移区，由半导体材料构成，与沟道相连，并通过衬底和欧姆接触获得二极管另一端；当二极管器件接反向偏压时，沟道两边的掺杂区形成的夹断势垒阻断反向电流；当二极管器件接正向偏压时，沟道内的势垒被同时降低，允许电流通过，可调的沟道参数实现了相对低的开启电压；本实用新型适用于所有半导体材料的垂直结构二极管器件。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 新型 二极管 器件 | ||
【主权项】：
一种新型二极管器件，其特征在于：包括：沟道，由邻近的相应类型的掺杂区构成，同时形成所需的势垒高度，通过欧姆接触形成二极管一端；漂移区，由半导体材料构成，与沟道相连，并通过衬底和欧姆接触获得二极管另一端。
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