[实用新型]静电保护电路、阵列基板及显示装置有效
| 申请号： | 201220364535.3 | 申请日： | 2012-07-25 |
| 公开（公告）号： | CN202712185U | 公开（公告）日： | 2013-01-30 |
| 发明（设计）人： | 徐向阳;赵婷婷 | 申请（专利权）人： | 京东方科技集团股份有限公司;合肥京东方光电科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/02 | 分类号： | H01L27/02 |
| 代理公司： | 北京路浩知识产权代理有限公司 11002 | 代理人： | 王莹 |
| 地址： | 100015 *** | 国省代码： | 北京;11 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本实用新型公开了一种静电保护电路，涉及显示技术领域，包括：第一薄膜晶体管、第二薄膜晶体管和第三薄膜晶体管，所述第一薄膜晶体管的源极、第二薄膜晶体管的栅极和第二薄膜晶体管的源极连接形成第一连接点；所述第一薄膜晶体管的漏极和第三薄膜晶体管的漏极连接形成第二连接点；所述第一薄膜晶体管的栅极、第二薄膜晶体管的漏极、第三薄膜晶体管的源极和第三薄膜晶体管的栅极相连。本实用新型还提供了相应的阵列基板及显示装置，设计的静电保护电路包括至少两个静电疏导电路，能够起到分流的作用，同时当任意一个或两个薄膜晶体管发生静电击穿短路时，整个静电保护电路仍然能正常工作。 | ||
| 搜索关键词： | 静电 保护 电路 阵列 显示装置 | ||
【主权项】：
一种静电保护电路，其特征在于，包括：第一薄膜晶体管、第二薄膜晶体管和第三薄膜晶体管，所述第一薄膜晶体管的源极、第二薄膜晶体管的栅极和第二薄膜晶体管的源极连接形成第一连接点；所述第一薄膜晶体管的漏极和第三薄膜晶体管的漏极连接形成第二连接点；所述第一薄膜晶体管的栅极、第二薄膜晶体管的漏极、第三薄膜晶体管的源极和第三薄膜晶体管的栅极相连。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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