[实用新型]薄膜晶体管、阵列基板及显示装置有效
| 申请号： | 201220364647.9 | 申请日： | 2012-07-25 |
| 公开（公告）号： | CN202712193U | 公开（公告）日： | 2013-01-30 |
| 发明（设计）人： | 张学辉;刘翔;薛建设 | 申请（专利权）人： | 京东方科技集团股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/786 | 分类号： | H01L29/786;H01L29/45;H01L29/49 |
| 代理公司： | 北京路浩知识产权代理有限公司 11002 | 代理人： | 韩国胜 |
| 地址： | 100015 *** | 国省代码： | 北京;11 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本实用新型属于显示技术领域，特别涉及一种薄膜晶体管、阵列基板、显示装置。本实用新型薄膜晶体管包括基板，以及在基板上依次形成的栅极层、栅绝缘层、有源层、电极金属层和钝化层；电极金属层包括源电极和漏电极，源电极和漏电极互相隔离，之间为沟道区域；所述栅极层和基板之间有第一透明导电层；所述有源层和电极金属层之间有第二透明导电层。本实用新型中的薄膜晶体管在基板和栅极金属层之间、有源层和电极金属层之间增加了透明导电层，增强了栅金属层与基板之间的附着力，阻止了电极金属向有源层的扩散，提高了产品性能。 | ||
| 搜索关键词： | 薄膜晶体管 阵列 显示装置 | ||
【主权项】：
薄膜晶体管，包括形成在基板上的栅极、栅绝缘层、有源层、电极金属层和钝化层；电极金属层包括源电极和漏电极，源电极和漏电极互相隔离，之间为沟道区域；其特征在于，所述有源层和电极金属层之间形成有第二透明导电层。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于京东方科技集团股份有限公司，未经京东方科技集团股份有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201220364647.9/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：加厚太阳能光伏组件边框
- 下一篇：由倒装发光单元阵列组成的立体发光器件
- 同类专利
- 专利分类
