[实用新型]低线宽的980nm F-P腔应变量子阱激光器的外延片有效

专利信息
申请号: 201220367669.0 申请日: 2012-07-27
公开(公告)号: CN202817486U 公开(公告)日: 2013-03-20
发明(设计)人: 张帆;韩效亚;杜石磊;林晓珊;叶培飞;占荣;耿松涛;张双翔 申请(专利权)人: 扬州乾照光电有限公司
主分类号: H01S5/343 分类号: H01S5/343;H01S5/14
代理公司: 扬州市锦江专利事务所 32106 代理人: 江平
地址: 225009 *** 国省代码: 江苏;32
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摘要: 低线宽的980nm F-P腔应变量子阱激光器的外延片,涉及半导体激光器领域,本实用新型通过在GaAs衬底层上顺序生长缓冲层、过渡层、n型下限制层、下波导层、下势垒层、有源层、上势垒层、上波导层、p型上限制层和欧姆接触层,以此加工成低线宽的980nm F-P腔应变量子阱激光器,可应用于光学测量、固体激光器泵浦、激光光谱学、医疗研究等领域。
搜索关键词: 低线宽 980 nm 应变 量子 激光器 外延
【主权项】:
一种低线宽的980nm F‑P腔应变量子阱激光器的外延片,其特征在于:包括顺序连接的GaAs衬底层、缓冲层、过渡层、n型下限制层、下波导层、下势垒层、有源层、上势垒层、上波导层、p型上限制层和欧姆接触层。
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