[实用新型]平板式PECVD专用镀膜挂件有效
申请号: | 201220370491.5 | 申请日: | 2012-07-27 |
公开(公告)号: | CN202705468U | 公开(公告)日: | 2013-01-30 |
发明(设计)人: | 郭友斌 | 申请(专利权)人: | 常州亿晶光电科技有限公司 |
主分类号: | C23C16/458 | 分类号: | C23C16/458 |
代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
地址: | 213213 江苏*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | 本实用新型涉及一种平板式PECVD专用镀膜挂件。该挂件呈平板式框架结构,所述的框架结构为上面开口的矩形框,其两侧底部对称设置有V形挂钩。本实用新型的有益效果是,本实用新型的平板式PECVD专用镀膜挂件,采用V形挂钩,与现有的U形挂钩相比,一方面减小了挂钩体积,节约原材料,降低成本;另一方面,减少了硅片表面的镀膜钩子印面积,提升了电池的转换效率。 | ||
搜索关键词: | 平板 pecvd 专用 镀膜 挂件 | ||
【主权项】:
一种平板式PECVD专用镀膜挂件,该挂件呈平板式框架结构,其特征在于:所述的框架结构为上面开口的矩形框(1),其两侧底部对称设置有V形挂钩(1‑1)。
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C23 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面化学处理;金属材料的扩散处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆;金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的