[实用新型]一种像素结构、阵列基板及显示装置有效
| 申请号： | 201220370853.0 | 申请日： | 2012-07-27 |
| 公开（公告）号： | CN202796955U | 公开（公告）日： | 2013-03-13 |
| 发明（设计）人： | 李嘉鹏;王凤国 | 申请（专利权）人： | 北京京东方光电科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/02 | 分类号： | H01L27/02;G02F1/1368 |
| 代理公司： | 北京派特恩知识产权代理事务所(普通合伙) 11270 | 代理人： | 王黎延;任媛 |
| 地址： | 100176 北京市*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本实用新型公开了一种像素结构，该像素结构中，数据线与公共电极、和/或数据线与栅极扫描线在像素区的交叠角度为钝角。本实用新型还相应地公开了一种基板及显示装置。本实用新型通过对像素区数据线与公共电极，和/或数据线与栅极扫描线的交叠部位角度进行钝角设计，可以避免涂胶工艺过程中光刻胶中气泡残留造成数据线与公共电极之间发生短路(DCS)和/或数据线与栅极扫描线之间发生短路，进而提高产品合格率。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 像素 结构 阵列 显示装置 | ||
【主权项】：
一种像素结构，其特征在于，该像素结构中，数据线与公共电极、和/或数据线与栅极扫描线在像素区的交叠角度为钝角。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
