[实用新型]一种多芯片圆片级封装结构

摘要

本实用新型涉及一种多芯片圆片级封装结构，属半导体芯片封装技术领域。它包括IC芯片Ⅰ（1）、IC芯片Ⅱ（2）、金属微结构（3）、高密度布线层（4）、硅腔体（5）、键合层（6）、焊球凸点（7）和填充料（8），IC芯片Ⅰ（1）和IC芯片Ⅱ（2）均包括一个或一个以上同质芯片或异质芯片，且分别倒装在高密度布线层（4）的上下表面，且面对面排列，IC芯片Ⅰ和IC芯片Ⅱ扣置在硅腔（511）内，所述高密度布线层（4）与硅腔体（5）通过键合层（6）键合，其中倒装方法包括倒装回流工艺或直接热压倒装工艺。本实用新型的封装成本低、封装结构支撑强度牢固、封装良率高、实现多个芯片在三维空间排布，适用于多芯片圆片级薄型封装的推进。

主权项

一种多芯片圆片级封装结构，其特征在于：所述封装结构包括带有芯片电极Ⅰ（11）的IC芯片Ⅰ（1）、带有芯片电极Ⅱ（21）的IC芯片Ⅱ（2）、金属微结构（3）、高密度布线层（4）、硅腔体（5）、键合层（6）、焊球凸点（7）和填充料（8），所述金属微结构（3）包括金属柱（31）和设置在金属柱（31）顶部的金属微凸点（32），所述高密度布线层（4）包括介电层（41）和设置在介电层（41）内部的再布线金属走线（42），所述硅腔体（5）包括硅本体（51），所述硅本体（51）正面设有硅腔（511），所述再布线金属走线（42）的上下端设置有金属电极（43），所述金属电极（43）包括金属电极Ⅰ（431）、金属电极Ⅱ（432）和金属电极Ⅲ（433），所述金属电极Ⅰ（431）设置在再布线金属走线（42）的上端，金属电极Ⅱ（432）和金属电极Ⅲ（433）设置在再布线金属走线（42）的下端；所述IC芯片Ⅰ和IC芯片Ⅱ分别通过金属微结构（3）设置在高密度布线层（4）的上表面和下表面，且面对面排列，所述IC芯片Ⅰ扣置在硅腔（511）内，所述IC芯片Ⅰ与IC芯片Ⅱ为同质芯片或异质芯片，IC芯片Ⅰ包括一个或一个以上同质芯片或异质芯片，IC芯片Ⅱ包括一个或一个以上同质芯片或异质芯片，所述高密度布线层（4）与硅腔体（5）通过键合层（6）键合，所述填充料（8）设置在芯片（1）、高密度布线层（4）和硅腔（511）之间的空间；所述焊球凸点（7）与金属电极Ⅲ（433）的下端面连接。