[实用新型]用于制作化学气相沉积生长多晶硅的硅芯专用切割设备有效

专利信息
申请号: 201220378703.4 申请日: 2012-07-31
公开(公告)号: CN202781470U 公开(公告)日: 2013-03-13
发明(设计)人: 李昆;亢若谷;马启坤;王云坤;史冰川;和金生;吕维基;罗以顺;段鑫;黄磊 申请(专利权)人: 昆明冶研新材料股份有限公司
主分类号: B28D5/02 分类号: B28D5/02;B28D7/00
代理公司: 昆明今威专利商标代理有限公司 53115 代理人: 赛晓刚
地址: 655011 云南*** 国省代码: 云南;53
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摘要: 实用新型涉及的一种用于制作化学气相沉积生长多晶硅的硅芯专用切割设备。属新能源及新材料技术领域。本实用新型将多晶硅棒料安装固定在金刚石外圆切割机中,同时对多根多晶硅棒料进行切割制取硅芯,先将多晶硅棒料切割成多晶硅片料,再将多晶硅片料切割成条状硅芯,切割完毕,可以同时得到多根硅芯。本实用新型提供的硅芯制备方法其生产效率明显高于其它制备方法,且在整个切割过程中,所用切割冷却液为自来水或脱盐水,不需要专门配制切割浆料,将切割冷却液经简单处理后进行循环使用,整个生产过程产生的废物仅为硅渣,不会对环境产生不利影响。
搜索关键词: 用于 制作 化学 沉积 生长 多晶 专用 切割 设备
【主权项】:
一种用于制作化学气相沉积生长多晶硅的硅芯专用切割设备,其特征在于专用切割设备的加工物件平台底部开有排水口(1),加工物件平台上部一端装有两组四个金刚石刀架(12、13、14、15)及一个放置于四个金刚石刀架的上部且能随刀架移动而自由伸缩的伸缩防护罩(16),每个金刚石刀架(12、13、14、15)上各装一组9‑11片金刚石外圆切割片,其中第一组两个金刚石刀架(12、13)安装的两组金刚石外圆切割片由第1号切割电机(17)提供动力,第二组两个金刚石刀架(14、15)安装的两组金刚石外圆切割片由第2号切割电机(18)提供动力,二组金刚石刀架均由一台传动电机(21)实现前进和后退功能,每个金刚石刀架(12、13、14、15)配装一个冷却液喷淋管(19),整根待切割加工硅棒料放置在固定挡板(20)、1~3个硅棒支撑块(7)及可移动挡板组成的硅棒支座上,排水口(1)及冷却液喷淋管(19)通过管道与废液循环处理器(6)连接。
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