[实用新型]一种反接保护自激震荡高频变换电路有效
| 申请号： | 201220396044.7 | 申请日： | 2012-08-12 |
| 公开（公告）号： | CN202799346U | 公开（公告）日： | 2013-03-13 |
| 发明（设计）人： | 王艳 | 申请（专利权）人： | 成都方拓科技有限公司 |
| 主分类号： | H05B41/285 | 分类号： | H05B41/285 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 610000 四川省*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | 本实用新型公开了一种反接保护自激震荡高频变换电路，主要由场效应晶体管Q1、场效应晶体管Q2，以及与场效应晶体管Q1和场效应晶体管Q2相并联的耦合整流电路组成，其特征在于：在场效应晶体管Q1的集电极与场效应晶体管Q2的源极之间还串接有反接保护电路。本实用新型通过自激震荡电路与反接保护电路的配合，能够确保自激震荡电路的结构安全，能有效降低事故发生的概率。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 反接 保护 震荡 高频 变换 电路 | ||
【主权项】：
一种反接保护自激震荡高频变换电路，主要由场效应晶体管Q1、场效应晶体管Q2，以及与场效应晶体管Q1和场效应晶体管Q2相并联的耦合整流电路组成，其特征在于：在场效应晶体管Q1的集电极与场效应晶体管Q2的源极之间还串接有反接保护电路。
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