[实用新型]射频同轴负载结构有效

专利信息
申请号: 201220400322.1 申请日: 2012-08-13
公开(公告)号: CN202749489U 公开(公告)日: 2013-02-20
发明(设计)人: 真莹 申请(专利权)人: 上海雷迪埃电子有限公司
主分类号: H01P1/26 分类号: H01P1/26
代理公司: 上海光华专利事务所 31219 代理人: 郭玲
地址: 200072 *** 国省代码: 上海;31
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摘要: 一种射频同轴负载结构,所述射频同轴负载结构包括内导体、外导体、电阻、绝缘子以及后盖,所述内导体、绝缘子、外导体由内而外呈同轴方式依次排列,所述后盖与所述外导体尾部相连接,其特征在于:所述内导体、绝缘子、外导体的后端面在同一个平面上,所述电阻为片状电阻,电阻的底面为平面且电阻的两极设置在所述底面的两端,电阻的一极与内导体的后端面电连接,电阻的另一极与外导体的后端面电连接。该射频同轴负载体积小、结构紧凑,提高了射频同轴负载内部电连接可靠性。
搜索关键词: 射频 同轴 负载 结构
【主权项】:
一种射频同轴负载结构,所述射频同轴负载结构包括内导体(1)、外导体(2)、电阻(3)、绝缘子(4)以及后盖(5),所述内导体(1)、绝缘子(4)、外导体(2)由内而外呈同轴方式依次排列,所述后盖(5)与所述外导体(2)尾部相连接,其特征在于:所述内导体(1)、绝缘子(4)、外导体(2)的后端面在同一个平面上,所述电阻(3)为片状电阻,电阻(3)的底面为平面且电阻(3)的两极设置在所述底面的两端,电阻(3)的一极与内导体(1)的后端面电连接,电阻(3)的另一极与外导体(2)的后端面电连接。
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