[实用新型]一种无铝背场的背钝化太阳能晶硅电池有效
| 申请号： | 201220402033.5 | 申请日： | 2012-08-14 |
| 公开（公告）号： | CN202948936U | 公开（公告）日： | 2013-05-22 |
| 发明（设计）人： | 豆维江;秦应雄;徐挺;孙当民;王宝磊;李小玄;张凯 | 申请（专利权）人： | 西安黄河光伏科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L31/0216 | 分类号： | H01L31/0216;H01L31/0224;H01L31/068 |
| 代理公司： | 西北工业大学专利中心 61204 | 代理人： | 顾潮琪 |
| 地址： | 710043 陕*** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | 本实用新型提供了一种无铝背场的背钝化太阳能晶硅电池，包括正面电极主栅、正面电极细栅、正面减反膜和带PN结的P型硅片，硅片背面有背面钝化层，背面钝化层上印刷背面电极主栅和背面电极细栅，背面电极主栅和背面电极细栅穿透背面钝化层，与硅片背面实现金属连接导通。本实用新型大大提高电池的转换效率，可以用于更薄的硅片，可以减少用铝背场印刷和烧结的设备，可以减少激光设备的投入。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 无铝背场 钝化 太阳能 电池 | ||
【主权项】：
一种无铝背场的背钝化太阳能晶硅电池，包括正面电极主栅、正面电极细栅、正面减反膜和带PN结的P型硅片，其特征在于：硅片背面有背面钝化层，背面钝化层上印刷背面电极主栅和背面电极细栅，背面电极主栅和背面电极细栅穿透背面钝化层，与硅片背面实现金属连接导通。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
