[实用新型]LTE频段功放保护模块有效
申请号: | 201220406802.9 | 申请日: | 2012-08-17 |
公开(公告)号: | CN202772843U | 公开(公告)日: | 2013-03-06 |
发明(设计)人: | 孙玉静;杨建明 | 申请(专利权)人: | 北京汉铭通信有限公司 |
主分类号: | H03F1/52 | 分类号: | H03F1/52 |
代理公司: | 北京恒都律师事务所 11395 | 代理人: | 邸建凯 |
地址: | 100101 北京市朝阳区*** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | 本实用新型公开了一种LTE频段功放保护模块,包括由射频输入与射频输出构成的射频电路,以及组成射频电路的元器件,所述元器件包括一比较器,及与比较器连接的MCU,及设置于比较器输入端的电流检测芯片,以及与比较器输出端连接的开关,所述开关控制功率放大器栅压,所述功率放大器漏极还与电流检测芯片相连,所述开关与MCU连接,受MCU控制;本实用新型主要采用针对LTE频段(2320MHz-2370MHz),对LDMOS功放管漏压的检测,以门限的方式保护功放不超过其最大工作电流,避免因输入信号过大,功放自激,环境因素引起的功放损坏,以增强功放系统的稳定及可靠性。 | ||
搜索关键词: | lte 频段 功放 保护 模块 | ||
【主权项】:
一种LTE频段功放保护模块,其特征在于:包括由射频输入与射频输出构成的射频电路,以及组成射频电路的元器件,所述元器件包括一比较器,及与比较器连接的MCU,及设置于比较器输入端的电流检测芯片,以及与比较器输出端连接的开关,所述开关控制功率放大器栅压,所述功率放大器漏极还与电流检测芯片相连,所述开关与MCU连接。
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