[实用新型]LTE频段功放保护模块有效

专利信息
申请号: 201220406802.9 申请日: 2012-08-17
公开(公告)号: CN202772843U 公开(公告)日: 2013-03-06
发明(设计)人: 孙玉静;杨建明 申请(专利权)人: 北京汉铭通信有限公司
主分类号: H03F1/52 分类号: H03F1/52
代理公司: 北京恒都律师事务所 11395 代理人: 邸建凯
地址: 100101 北京市朝阳区*** 国省代码: 北京;11
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摘要: 实用新型公开了一种LTE频段功放保护模块,包括由射频输入与射频输出构成的射频电路,以及组成射频电路的元器件,所述元器件包括一比较器,及与比较器连接的MCU,及设置于比较器输入端的电流检测芯片,以及与比较器输出端连接的开关,所述开关控制功率放大器栅压,所述功率放大器漏极还与电流检测芯片相连,所述开关与MCU连接,受MCU控制;本实用新型主要采用针对LTE频段(2320MHz-2370MHz),对LDMOS功放管漏压的检测,以门限的方式保护功放不超过其最大工作电流,避免因输入信号过大,功放自激,环境因素引起的功放损坏,以增强功放系统的稳定及可靠性。
搜索关键词: lte 频段 功放 保护 模块
【主权项】:
一种LTE频段功放保护模块,其特征在于:包括由射频输入与射频输出构成的射频电路,以及组成射频电路的元器件,所述元器件包括一比较器,及与比较器连接的MCU,及设置于比较器输入端的电流检测芯片,以及与比较器输出端连接的开关,所述开关控制功率放大器栅压,所述功率放大器漏极还与电流检测芯片相连,所述开关与MCU连接。
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