[实用新型]一种晶体管版图结构及芯片版图结构有效
| 申请号： | 201220406951.5 | 申请日： | 2012-08-16 |
| 公开（公告）号： | CN202758890U | 公开（公告）日： | 2013-02-27 |
| 发明（设计）人： | 丛久滨;谢文刚;任民 | 申请（专利权）人： | 成都国微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L29/78;G06F17/50 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 王宝筠 |
| 地址： | 610000 四川省成*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | 本申请提供了一种晶体管版图结构，其特征在于，包括主体区、衬底区和浅阱区，其中，所述主体区设置在所述浅阱区上，所述浅阱区设置在所述衬底区上。由于在上述版图结构下的晶体管，其主体结构被浅阱所包覆，与衬底是分离的。所述浅阱的导热能力较强，可以将晶体管主体结构产生的热量更好的传递给衬底，进而提高晶体管主体的散热能力。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 晶体管 版图 结构 芯片 | ||
【主权项】：
一种晶体管版图结构，其特征在于，包括主体区、衬底区和浅阱区，其中，所述主体区设置在所述浅阱区上，所述浅阱区设置在所述衬底区上。
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