[实用新型]一种具有PN结保护的硅台面半导体器件有效
| 申请号： | 201220413292.8 | 申请日： | 2012-08-21 |
| 公开（公告）号： | CN202749360U | 公开（公告）日： | 2013-02-20 |
| 发明（设计）人： | 周明;穆连和;顾理建;王荣元 | 申请（专利权）人： | 南通明芯微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/00 | 分类号： | H01L23/00 |
| 代理公司： | 扬州市锦江专利事务所 32106 | 代理人： | 江平 |
| 地址： | 226600 江苏*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 一种具有PN结保护的硅台面半导体器件，涉及半导体器件的PN结保护工艺技术领域，在两层N型层之间设置P型层，在一个N型层的外侧设置SiO2保护膜层，在设有SiO2保护膜层的N型层的外侧和与该N型层连续的P型层上设置凹形台面，其特征在于在所述凹形台面上覆盖SIPOS薄膜层，在SIPOS薄膜层外设置玻璃钝化膜层。本实用新型采用在SIPOS薄膜层上叠加玻璃钝化膜层的方式代替传统单一的玻璃钝化膜层直接对台面半导体器件进行PN结表面保护的方式，提高了半导体器件的抗恶劣环境的能力，可避免玻璃钝化膜层产生裂纹，以提高产品的使用寿命。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 具有 pn 保护 台面 半导体器件 | ||
【主权项】：
一种具有PN结保护的硅台面半导体器件，包括两层N型层，在两层N型层之间设置P型层，在一个N型层的外侧设置SiO2保护膜层，在设有SiO2保护膜层的N型层的外侧和与该N型层连续的P型层上设置凹形台面，其特征在于在所述凹形台面上覆盖SIPOS薄膜层，在SIPOS薄膜层外设置玻璃钝化膜层。
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