[实用新型]一种MOCVD设备有效
申请号: | 201220420460.6 | 申请日: | 2012-08-23 |
公开(公告)号: | CN202786418U | 公开(公告)日: | 2013-03-13 |
发明(设计)人: | 陈爱华;金小亮;张伟;吕青;施建新;陈凯辉 | 申请(专利权)人: | 中晟光电设备(上海)有限公司 |
主分类号: | C23C16/455 | 分类号: | C23C16/455;C23C16/458 |
代理公司: | 上海信好专利代理事务所(普通合伙) 31249 | 代理人: | 张静洁 |
地址: | 201203 上海*** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | 本实用新型涉及MOCVD设备,使两种气体的喷孔均匀有间隔地交替分布在进气装置的底面,使两种气体进入反应区域后能有效混合,并容易控制气体均匀垂直地输送到衬底片表面上,来进行外延反应。衬底片的托盘采用高速旋转的结构,利用由此产生的泵效应能够把反应气体迅速地输送到衬底片的表面上,并且通过高速旋转的离心力还可以把反应后的气体迅速排出,实现了外延生长需要的条件。此外,反应区域的空间高度适合配置机械手,以便于实现对托盘的机械化传送,使得MOCVD设备适合自动化生产的要求。 | ||
搜索关键词: | 一种 mocvd 设备 | ||
【主权项】:
一种MOCVD设备,其特征在于,包括:反应腔体、托盘、旋转轴和进气装置,其中所述托盘位于所述反应腔体内,该托盘用于放置至少一个衬底片;所述旋转轴与托盘直接接触,用以支撑托盘以及带动托盘旋转;所述进气装置位于托盘上方,该进气装置底面设有多个均匀分布的喷孔,用以输出至少两路反应气体至所述托盘的上表面,所述喷孔至少包括第一喷孔和第二喷孔,所述第一喷孔用以输出第一反应气体,所述第二喷孔用以输出第二反应气体。
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C23 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面化学处理;金属材料的扩散处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆;金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
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