[实用新型]用于MOSFET芯片的封装体

摘要

本实用新型公开一种用于MOSFET芯片的封装体，包括MOSFET芯片、环氧树脂层，导电基盘、第一导电焊盘和第二导电焊盘，所述导电基盘由散热区和基盘引脚区组成，所述散热区位于MOSFET芯片正下方且与MOSFET芯片下表面之间通过导电焊料层电连接；所述第一导电焊盘和第二导电焊盘位于MOSFET芯片另一侧，第一导电焊盘和第二导电焊盘均包括焊接区和引脚区；若干根第一金属线跨接于所述MOSFET芯片的源极与第一导电焊盘的焊接区之间，第二金属线跨接于所述MOSFET芯片的栅极与第二导电焊盘的焊接区之间。本实用新型封装体有利于进一步缩小器件的体积，同时减少封装体中部件的数目；且提升器件MOSFET芯片散热效率。

主权项

一种用于MOSFET芯片的封装体，包括MOSFET芯片（1）、环氧树脂层（2），所述MOSFET芯片上表面（1）设有源极和栅极，下表面设有漏极，其特征在于：还包括导电基盘（3）、第一导电焊盘（4）和第二导电焊盘（5），所述导电基盘（3）由散热区（31）和基盘引脚区（32）组成，所述散热区（31）位于MOSFET芯片（1）正下方且与MOSFET芯片（1）下表面之间通过导电焊料层（6）电连接；所述第一导电焊盘（7）和第二导电焊盘（8）位于MOSFET芯片（1）另一侧，第一导电焊盘（4）和第二导电焊盘（5）均包括焊接区（7）和引脚区（8）；若干根第一金属线（9）跨接于所述MOSFET芯片（1）的源极与第一导电焊盘（4）的焊接区（7）之间，第二金属线（10）跨接于所述MOSFET芯片（1）的栅极与第二导电焊盘（5）的焊接区（7）之间。