[实用新型]一种电压斜率变化检测电路有效
申请号: | 201220428464.9 | 申请日: | 2012-08-27 |
公开(公告)号: | CN202794316U | 公开(公告)日: | 2013-03-13 |
发明(设计)人: | 陶志波;张义;王虎刚;其他发明人请求不公开姓名 | 申请(专利权)人: | 上海占空比电子科技有限公司 |
主分类号: | G01R19/175 | 分类号: | G01R19/175 |
代理公司: | 上海精晟知识产权代理有限公司 31253 | 代理人: | 何新平 |
地址: | 201203 上海市浦东新区上海市*** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | 本实用新型公开了一种电压斜率变化检测电路,其利用电容冲放电时dV/dT变化的斜率来提取冲放电电流,再将此电流同一基准电流相比较,从而检测出dV/dT发生变化时所对应的时刻,由此可以实现当电压斜率发生较大变化时,将变化的突变时刻检测出来。此电压斜率变化检测电路可以用于,但不仅限于用于,原边控制无光耦反馈的反激式(Flyback)开关电源二次侧电感电流过零检测。 | ||
搜索关键词: | 一种 电压 斜率 变化 检测 电路 | ||
【主权项】:
一种电压斜率变化检测电路,包括:一电容、一PMOS电压跟随器、一对NMOS电流管、一电流基准和一反相器,所述一对NMOS电流管包括:电流镜主管NMOS和电流镜镜像管NMOS;其特征在于,所述检测电路的整体电路结构为:电容的一端接电源VCC或地,另一端接PMOS管的源极,PMOS管的栅极接输入电压,PMOS管的漏极接电流镜主管NMOS的漏极,电流镜主管NMOS的源极接地,电流镜主管NMOS的栅极接电流镜主管NMOS的漏极和电流镜镜像管NMOS的栅极,电流镜镜像管NMOS的源极接地,电流镜镜像管NMOS的漏极接电流基准的一端,电流基准的另一端接电源VCC,电流镜镜像管NMOS的漏极同时接反相器的输入端,反相器的输出端接输出信号。
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