[实用新型]一种太阳能晶硅电池的背面开窗结构有效
申请号: | 201220428722.3 | 申请日: | 2012-08-28 |
公开(公告)号: | CN202736931U | 公开(公告)日: | 2013-02-13 |
发明(设计)人: | 吴敏;韩健鹏;陈金灯;吕绍杰 | 申请(专利权)人: | 横店集团东磁股份有限公司 |
主分类号: | H01L31/0216 | 分类号: | H01L31/0216;H01L31/0224 |
代理公司: | 杭州杭诚专利事务所有限公司 33109 | 代理人: | 尉伟敏 |
地址: | 322118 浙江省金*** | 国省代码: | 浙江;33 |
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摘要: | 本实用新型公开了一种太阳能晶硅电池的背面开窗结构,其目的在于解决现有太阳能晶硅电池的背面使用激光开窗时易于造成的硅片损伤以及由于直线开窗的宽度窄与铝粉颗粒大小难以匹配的问题。本实用新型包括P型硅基体,所述P型硅基体前表面上有磷扩散层,磷扩散层上覆盖有氮化硅减反膜,氮化硅减反膜上丝网印刷有正面银电极,所述P型硅基体背面上设有钝化层,所述钝化层上设有点状开窗结构,点状开窗结构穿透钝化层,钝化层上丝网印刷有背面铝电极,背面铝电极在点状开窗结构处与P型硅基体接触。本实用新型在使用激光开窗时不会损伤硅片,与导电铝浆中铝粉颗粒匹配度好,印刷烧结时铝粉颗粒与硅片接触良好,提高了太阳能晶硅电池的电性能。 | ||
搜索关键词: | 一种 太阳能 电池 背面 开窗 结构 | ||
【主权项】:
一种太阳能晶硅电池的背面开窗结构,包括P型硅基体(1),所述P型硅基体(1)前表面上有磷扩散层(2),磷扩散层(2)上覆盖有氮化硅减反膜(3),氮化硅减反膜(3)上丝网印刷有正面银电极(4),所述P型硅基体(1)背面上设有钝化层,其特征在于:所述钝化层上设有点状开窗结构(9),点状开窗结构(9)穿透钝化层,设有点状开窗结构(9)的钝化层上丝网印刷有背面铝电极(7),背面铝电极(7)在点状开窗结构(9)处与P型硅基体(1)接触。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
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H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的