[实用新型]物理沉淀法制作的薄膜型热敏电阻温度传感器芯片有效
| 申请号： | 201220429684.3 | 申请日： | 2012-08-27 |
| 公开（公告）号： | CN202853788U | 公开（公告）日： | 2013-04-03 |
| 发明（设计）人： | 陈文廷;段兆祥;杨俊;柏琪星;唐黎民 | 申请（专利权）人： | 肇庆爱晟电子科技有限公司 |
| 主分类号： | G01K7/22 | 分类号： | G01K7/22 |
| 代理公司： | 广州新诺专利商标事务所有限公司 44100 | 代理人： | 华辉;曹爱红 |
| 地址： | 526020 广东*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本实用新型属于电子元件制造技术领域，具体公开一种物理沉淀法制作的薄膜型热敏电阻温度传感器芯片。该热敏电阻温度传感器芯片，包括基片，所述基片上依次设有一沉淀后烧结而成的热敏电阻介质薄膜层、表面电极层及玻璃防护层，并在设有热敏电阻介质薄膜层及玻璃防护层后的基片的两端部设有端电极。该温度传感器芯片的热时间常数小(反应灵敏)、可靠性好、稳定性高，且其制膜方法较其他制膜方法简单，工艺流程简化，操作便捷，大大节约生产成本，不需要添加其他辅助原材料。 | ||
| 搜索关键词： | 物理 沉淀 法制 薄膜 热敏电阻 温度传感器 芯片 | ||
【主权项】：
一种物理沉淀法制作的薄膜型热敏电阻温度传感器芯片，包括基片，其特征在于：所述基片上依次设有一沉淀后烧结而成的热敏电阻介质薄膜层、表面电极层及玻璃防护层，并在设有热敏电阻介质薄膜层及玻璃防护层后的基片的两端部设有端电极。
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