[实用新型]电磁抑制结构和柜体有效
申请号: | 201220430034.0 | 申请日: | 2012-08-27 |
公开(公告)号: | CN202856615U | 公开(公告)日: | 2013-04-03 |
发明(设计)人: | 沈捷;汪鋆;S.施勒德;张帆 | 申请(专利权)人: | 通用电气公司 |
主分类号: | H02M1/44 | 分类号: | H02M1/44;H02M1/00 |
代理公司: | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人: | 彭久云 |
地址: | 美国*** | 国省代码: | 美国;US |
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摘要: | 本实用新型至少揭示一种电磁抑制结构和柜体,该电磁抑制结构被配置成抑制至少一个电磁辐射源产生的至少一部分电磁辐射信号。该电磁抑制结构包括第一电磁抑制元件、第二电磁抑制元件,第一电磁抑制元件被设置在相距该至少一个电磁辐射源的第一位置处,第二电磁抑制元件通过固定元件与该第一电磁抑制元件机械连接,第二电磁抑制元件被设置在相距该至少一个电磁辐射源的第二位置处,并且在该第一电磁抑制元件和该第二电磁抑制元件之间形成预设的间隔。第一电磁抑制元件被配置成抑制至少一部分频率值在第一频率范围内的电磁辐射信号,且该第一频率范围内的电磁辐射信号穿过该第二电磁抑制元件以及该预设的间隔。第二电磁抑制元件被配置成抑制至少一部分频率值在第二频率范围内的电磁辐射信号。 | ||
搜索关键词: | 电磁 抑制 结构 | ||
【主权项】:
一种电磁抑制结构,其被配置成抑制至少一个电磁辐射源产生的至少一部分电磁辐射信号,其特征在于:该电磁抑制结构包括第一电磁抑制元件、第二电磁抑制元件,该第一电磁抑制元件被设置在相距该至少一个电磁辐射源的第一位置处,该第二电磁抑制元件通过固定元件与该第一电磁抑制元件机械连接,该第二电磁抑制元件被设置在相距该至少一个电磁辐射源的第二位置处,并且在该第一电磁抑制元件和该第二电磁抑制元件之间形成预设的间隔,该第一电磁抑制元件被配置成抑制至少一部分频率值在第一频率范围内的电磁辐射信号,且该第一频率范围内的电磁辐射信号穿过该第二电磁抑制元件以及该预设的间隔,该第二电磁抑制元件被配置成抑制至少一部分频率值在第二频率范围内的电磁辐射信号。
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H02 发电、变电或配电
H02M 用于交流和交流之间、交流和直流之间、或直流和直流之间的转换以及用于与电源或类似的供电系统一起使用的设备;直流或交流输入功率至浪涌输出功率的转换;以及它们的控制或调节
H02M1-00 变换装置的零部件
H02M1-02 .专用于在静态变换器内的放电管产生栅极控制电压或引燃极控制电压的电路
H02M1-06 .非导电气体放电管或等效的半导体器件的专用电路,例如闸流管、晶闸管的专用电路
H02M1-08 .为静态变换器中的半导体器件产生控制电压的专用电路
H02M1-10 .具有能任意地用不同种类的电流向负载供电的变换装置的设备,例如用交流或直流
H02M1-12 .减少交流输入或输出谐波成分的装置
H02M 用于交流和交流之间、交流和直流之间、或直流和直流之间的转换以及用于与电源或类似的供电系统一起使用的设备;直流或交流输入功率至浪涌输出功率的转换;以及它们的控制或调节
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