[实用新型]AZO-黑硅异质结太阳能电池有效
| 申请号： | 201220432470.1 | 申请日： | 2012-08-28 |
| 公开（公告）号： | CN203134841U | 公开（公告）日： | 2013-08-14 |
| 发明（设计）人： | 夏洋 | 申请（专利权）人： | 夏洋 |
| 主分类号： | H01L31/074 | 分类号： | H01L31/074;H01L31/036 |
| 代理公司： | 浙江杭州金通专利事务所有限公司 33100 | 代理人： | 赵芳;徐关寿 |
| 地址： | 100029 北京*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本实用新型公开了一种AZO-黑硅异质结太阳能电池，包括表面保护层、金属栅电极、AZO薄膜、黑硅层、晶硅层和金属背电极，所述表面保护层位于金属栅电极之上，所述金属栅电极位于AZO薄膜上，所述AZO薄膜位于黑硅层之上，所述黑硅层位于晶硅层之上，所述晶硅层位于金属背电极上。本实用新型的有益效果：在黑硅结构表面沉积n型AZO薄膜，形成异质结太阳能电池，提高太阳能电池的开路电压与短路电流，进而提高太阳能电池的转化效率；并简化了太阳能电池的结构，降低了生产成本。 | ||
| 搜索关键词： | azo 黑硅异质结 太阳能电池 | ||
【主权项】：
AZO‑黑硅异质结太阳能电池，其特征在于： 包括表面保护层、金属栅电极、AZO薄膜、黑硅层、晶硅层和金属背电极，所述表面保护层位于金属栅电极之上，所述金属栅电极位于AZO薄膜上，所述AZO薄膜位于黑硅层之上，所述黑硅层位于晶硅层之上，所述晶硅层位于金属背电极上。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
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