[实用新型]密封性能好的换能器有效
| 申请号： | 201220433384.2 | 申请日： | 2012-08-29 |
| 公开（公告）号： | CN202909925U | 公开（公告）日： | 2013-05-01 |
| 发明（设计）人： | 夏文军 | 申请（专利权）人： | 厦门博意达科技有限公司 |
| 主分类号： | B06B1/06 | 分类号： | B06B1/06 |
| 代理公司： | 厦门市新华专利商标代理有限公司 35203 | 代理人： | 许伟 |
| 地址： | 361000 福建省厦门市湖里区*** | 国省代码： | 福建;35 |
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| 摘要： | 本实用新型公开了一种密封性能好的换能器，它包括绝缘座、晶片、高频屏蔽线；所述的绝缘座具有一内腔，在内腔的上部设有一个挡沿；所述的晶片安装在绝缘座内腔的挡沿上，在晶片的外壁上包裹一层环氧覆盖层；所述的高频屏蔽线一端连接在晶片底部的两极上，高频屏蔽线另一端穿过绝缘座内腔下部延伸到绝缘座外，在高频屏蔽线与绝缘座内腔壁之间填满填充料。由于本实用新型在晶片的外壁上覆盖一层环氧覆盖层，在高频屏蔽线输出通道上填满绝缘性能好的填充料，使得晶片处于一个完全封闭的绝缘座内，密封性能好。 | ||
| 搜索关键词： | 密封 性能 换能器 | ||
【主权项】：
一种密封性能好的换能器，其特征在于：它包括绝缘座、晶片、高频屏蔽线；所述的绝缘座具有一内腔，在内腔的上部设有一个挡沿；所述的晶片安装在绝缘座内腔的挡沿上，在晶片的外壁上包裹一层环氧覆盖层；所述的高频屏蔽线一端连接在晶片底部的两极上，高频屏蔽线另一端穿过绝缘座内腔下部延伸到绝缘座外，在高频屏蔽线与绝缘座内腔壁之间填满填充料。
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