[实用新型]一种氮化镓发光二极管结构有效
| 申请号： | 201220452807.5 | 申请日： | 2012-09-07 |
| 公开（公告）号： | CN202797056U | 公开（公告）日： | 2013-03-13 |
| 发明（设计）人： | 廖家明 | 申请（专利权）人： | 福建省中达光电科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/32 | 分类号： | H01L33/32;H01L33/14 |
| 代理公司： | 厦门市新华专利商标代理有限公司 35203 | 代理人： | 李宁;唐绍烈 |
| 地址： | 363600 福建省*** | 国省代码： | 福建;35 |
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| 摘要： | 本实用新型公开一种氮化镓发光二极管结构，由衬底、第一型掺染半导体层、第一电极、发光层、电子阻挡层、电子阻挡披覆层、第二型掺染半导层以及第二电极所组成，第一型掺染半导层由氮化镓组成，发光层由氮化铟镓组成，电子阻挡层由氮化铝镓组成，电子阻挡披覆层由本征氮化镓组成，其成长厚度为5nm～80nm,第二型掺染半导层由氮化镓组成，第一型掺染半导体层、发光层、电子阻挡层、电子阻挡披覆层、第二型掺染半导层以及第二电极为依次堆栈于衬底之上，发光层覆盖部份第一型掺染半导层，第一电极置于未被发光层所覆盖的第一型掺染半导层之上。本实用新型可以增加电子阻挡披覆层来加强电子阻挡层的位障效应及提高LED元器件ESD能力。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 氮化 发光二极管 结构 | ||
【主权项】：
一种氮化镓发光二极管结构，其特征在于：由衬底、第一型掺染半导体层、第一电极、发光层、电子阻挡层、电子阻挡披覆层、第二型掺染半导层以及第二电极所组成，第一型掺染半导层由氮化镓组成，发光层由氮化铟镓组成，电子阻挡层由氮化铝镓组成，电子阻挡披覆层由本征氮化镓组成，其成长厚度为5nm～80nm,第二型掺染半导层由氮化镓组成，第一型掺染半导体层、发光层、电子阻挡层、电子阻挡披覆层、第二型掺染半导层以及第二电极为依次堆栈于衬底之上，发光层覆盖部份第一型掺染半导层，第一电极置于未被发光层所覆盖的第一型掺染半导层之上。
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