[实用新型]一种等离子体增强化学气相沉积设备有效
申请号: | 201220455211.0 | 申请日: | 2012-09-07 |
公开(公告)号: | CN202898532U | 公开(公告)日: | 2013-04-24 |
发明(设计)人: | 葛芳芳;李艳玲;黄峰 | 申请(专利权)人: | 中国科学院宁波材料技术与工程研究所 |
主分类号: | C23C16/44 | 分类号: | C23C16/44 |
代理公司: | 杭州天勤知识产权代理有限公司 33224 | 代理人: | 刘诚午 |
地址: | 315201 浙江*** | 国省代码: | 浙江;33 |
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摘要: | 本实用新型公开了一种等离子体增强化学气相沉积设备,包括射频电源、镀膜室以及与镀膜室连通的输气管,所述射频电源与镀膜室内的电极通过射频电流传输装置连接,所述射频电流传输装置包括设有冷却介质进口和冷却介质出口的导电管,所述导电管一端与射频电源连接,另一端与镀膜室内的电极连接。本实用新型通过设置射频电流传输装置,可以降低高功率的甚高频及高频电流在传输过程中的发热量,减小甚高频及高频电流在传输过程中损耗,提高电源功率的有效使用率,其结构简单,易于方便实施。 | ||
搜索关键词: | 一种 等离子体 增强 化学 沉积 设备 | ||
【主权项】:
一种等离子体增强化学气相沉积设备,包括射频电源、镀膜室以及与镀膜室连通的输气管,其特征在于,所述射频电源与镀膜室内的电极通过射频电流传输装置连接,所述射频电流传输装置包括设有冷却介质进口和冷却介质出口的导电管,所述导电管一端与射频电源连接,另一端与镀膜室内的电极连接。
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C23 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面化学处理;金属材料的扩散处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆;金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的