[实用新型]一种沟槽型半导体功率器件及其终端保护结构

摘要

本实用新型公开了一种可降低制造成本、并可提高反向击穿电压的半导体功率器件，包括半导体基板，其中心区由并联的单胞构成有源区，有源区的外围设置有终端保护区，终端保护区包括至少一个分压环和至少一个截止环，截止环位于分压环的外围；终端保护区内设置有第一沟槽，第一沟槽形成终端保护区的分压环；所述第一沟槽内壁生长有绝缘栅氧化层，沟槽内的两侧分别设置有第一多晶硅场板和第二多晶硅场板，第一多晶硅场板与第二多晶硅场板通过绝缘介质层相隔离；第一沟槽两侧及底部设置有第二导电类型层。本实用新型在降低半导体功率器件制造成本的同时，还大大提高了半导体功率器件的耐压能力和可靠性。

主权项

一种沟槽型半导体功率器件终端保护结构，包括：半导体基板，半导体基板包括第一导电类型衬底及设置在第一导电类型衬底上的第一导电类型外延层，第一导电类型外延层的表面为第一主面，第一导电类型衬底的表面为第二主面；第一主面上设置有位于中心区域的有源区、以及位于有源区外围的终端保护区，所述的第一主面上覆盖有绝缘介质层，终端保护区内设置有至少一个分压环和位于分压环外围的至少一个截止环；其特征在于：所述的分压环包括：设置在所述终端保护区内的环状的第一沟槽，第一沟槽的内壁生长有绝缘栅氧化层，第一沟槽沿其两侧内壁分别设置有环状的第一多晶硅场板和第二多晶硅场板，第一多晶硅场板与第二多晶硅场板之间设置有绝缘介质层，第一多晶硅场板与第二多晶硅场板通过绝缘介质层隔离，第一导电类型外延层在第一沟槽的两侧以及下方设置有与第一沟槽的外壁相接触的第二导电类型层；所述的截止环包括：所述的第一主面在终端保护区内设置有环状的第二沟槽，第二沟槽深入到第一导电类型外延层内，第二沟槽的内壁生长有绝缘栅氧化层，第二沟槽内设置有导电多晶硅，第二沟槽的两侧分别设置有第二导电类型层。