[实用新型]一种电光调制系统和由其构成的电光开关或光衰减器

摘要

本实用新型公开了一种电光调制系统和由其构成的电光开关或光衰减器，所述电光调制系统包括电光PIN二极管波导和一对模式变换器，所述电光PIN二极管波导由脊波导构成，其平板区的两侧分别为高浓度掺杂的P型掺杂区和N型掺杂区。所述脊波导的平板区高度小于所述脊波导脊高度的一半。所述脊波导的脊宽与所述脊波导的总高度相近，波导传导的主模的主要能量限制在波导芯区。所述电光开关或光衰减器，从输入到输出依次包括一个输入Y分支耦合器、一对电光调制系统和一个输出Y分支耦合器。本实用新型结构能提高载流子注入效率，降低器件总功耗，且具有高消光比。

主权项

一种电光调制系统，包括电光PIN二极管波导和一对模式变换器，所述电光PIN二极管波导由在脊波导实施掺杂工艺构成，所述脊波导包括波导脊和平板区，其平板区的两侧分别为P型掺杂区和N型掺杂区，所述P型掺杂区为受主离子掺杂，所述N型掺杂区为施主离子掺杂，所述一对模式变换器包括输入模式变换器和输出模式变换器，其特征在于， 所述脊波导由半导体材料构成，其波导芯区为本征区； 所述平板区的高度可以小于所述波导脊高度的一半，使所述脊波导拥有强折射率对比，可以为多模波导； 所述P型掺杂区和N型掺杂区紧靠所述脊波导的波导芯区，为高浓度掺杂，但仅限制于所述平板区而不进入所述波导芯区，当所述PIN二极管由正向电流驱动时，所述两个掺杂区作为载流子的注入源； 所述波导脊的宽度与所述脊波导的总高度相近，波导传导的主模的绝大部分能量分布完全限制在其波导芯区； 所述模式变换器的输入模式变换器连接所述电光PIN二极管波导的输入端，将输入单模波导的基模全部转换为所述电光PIN二极管波导的基模；所述模式变换器的输出模式变换器连接所述电光PIN二极管波导的输出端，将所述电光PIN二极管波导的基模全部转换为输出单模波导的基模。